4.4.2.1. ТОПОЛОГИЯ CMOS



Пример топологии для CMOS инвертора (пара MOSFET транзисторов):

-----------------------------------------------------------------------------

                                   Vin
				  |  |
                   +--------------+  +-------------+
                   |  +-------------------------+  |
                   |  |                         |  |
	+----------|  |-----------+             |  |     
	|    n     |  |   n       |             |  |
	|   +------|  |--------+  |    +--------|  |-----+
	|   |    p |  | p      |  |    |  n     |  |   n |
---------------+   |  |  +--+  |  |    |  +--+  |  | +----------------
GND	       |   |  |  |  |  |  |    |  |  |  |  | |           Vcc
---------------+   |  |  |  |  |  |    |  |  |  |  | +----------------
	|   |	   |  |  |  |  |  |    |  |  |  |  |     |
	|   +------|  |--|  |--+  |    +--|  |--|  |-----+
	+----------|  |--|  |-----+       |  |  +--+
		   +--+  |  |             |  |      
			 |  +-------------+  |
			 +--------+  +-------+
			          |  |
			           Vout

n - зона электронной проводимости
р - зона дырочной проводимости
подложка имеет дырочную проводимость.
-----------------------------------------------------------------------------


Разрез вдоль линии GND-Vcc:

----------------------------------------------------------------------------
	

                 +-----+                         +-----+
                 | Vin |                         | Vin |
 --------------+ +-----+ +----+           +----+ +-----+  +-----------
      Vcc      | |oxide| |Vout|           |Vout| |oxide|  |    GND
 ------+----+------+--+--------+--+------+--------+--+------+------
       |    |  p   |  |  p     |  |      |   n    |  |  n   |
       |    +------+  +--------+  |      +--------+  +------+
       |         n-карман         |
       +--------------------------+	 
                               p-подложка

		P-MOSFET			N-MOSFET

----------------------------------------------------------------------------


	когда Vin=1 есть ток			Когда Vin=0 он уводит
	электроны открывают зону		элетроны из зоны n-проводимости
	p-проводимости и ток течет		дырки текут от Vcc к Vout	
	от GND к Vout.				(a электроны наоборот).


NOT






NOR




NAND






Правила топологии






Index Prev Next