Проектная норма все уменьшается: Эволюция
Начинает сильно играть роль скорость межсоединений.
Увеличиваются индуктивные наводки между элементами:
Увеличивается число слоев метализации CMOS 7S:
С уменьшением проектной нормы падают допустимые минимальные/максимальные величины рабочего напряжения:
Уменьшим напряжение питания вдвое. Частоту придется тоже уменьшить вдвое. Но устройство будет потреблять вчетверо меньше.
------------------------------------------------------------------------------ Максимальная 100x100 нм Статистические флуктуации легирования подложки величина Разрешение фоторезиста элемента Космические лучи, радиактивность Конечная ширина p-n перехода ------------------------------------------------------------------------------ Мин Толщина 50 A Туннельные токи из затвора в канал подзатворного изолятора ------------------------------------------------------------------------------ Мин Напряжение 0.025 В Тепловой потенциал (kT/q) питания ------------------------------------------------------------------------------ Мин Плотность 10^-6 A/см^2 Дискретность заряда электрона тока Флуктуации встроенного заряда ------------------------------------------------------------------------------ Предельное 0.03 нс Скорость света быстродействие ------------------------------------------------------------------------------ Мин 10^-12 Вт/элемент Шумы, мощность при F = 1kHz Диэлектрическая составляющая ------------------------------------------------------------------------------ Лимитирующие факторы