25.3.1. FLASH





FLASH - это программироваемое ПЗУ с электрическим стиранием. Во Flash также как и в EPROM используются транзисторы с плавающим затвором.



Ячейка FLASH выглядет как ячейка EPROM, только у нее другие электрические характеристики, которые позволяют разрядить плавающий затвор электрически не прибегая к УФ.

Транзистор с плавающим затвором в разных режимах:




Strata Flash - технология разработанная Intel позволяющая хранить более одного бита в ячейке. Идея: использовать не наличие/отсутствие заряда в плавающем затворе (1 бит), а оценивать его количество (2 бита). Пример реализации:



Операционные усилители используются для сравнения уровня напряжения. Logic в конце вырабатывает двоичный код из сигналов выданных опареционными усилителями: -------------------------------- OP3 OP2 OP1 | Result ---------------------+---------- заряд затвора 0 0 0 | 00 нет сигнала 0 0 0 1 | 01 слабый сигнал 0.33FULL 0 1 1 | 10 средний сигнал 0.66FULL 1 1 1 | 11 cильный сигнал FULL -------------------------------- Уровни выходных сигналов плавающего транзистора во Flash:


Mirror Bit Flash AMD сделала Mirror Bit Flash. В одном транзисторе хранятся два бита за счет того что линии стока и истока меняется местами. Заряд накапливается в углах.




NOR Flash

NOR Flash - основная идея: все транзисторы закрыты. Если транзистор выбран, то в зависимости от состояния плавающего затвора он либо не открывается, либо открывается пропуская землю на линию бита. (Линия бита тянется ко всем ячейкам, и линия земли тоже).






NAND Flash

NAND Flash - основная идея: ячейки в цепочку друг за другом Если транзистор не выбран то пропускают сигнал, если выбран то зависит от плавающего затвора. Он либо пропускает сигнал либо нет. (Плюсы: не надо тащить линии земли и бита по кристаллу - занимает меньше места, Минусы: работает медленнее).






Сравнение размера NOR и NAND Flash:






3D структуры Компания Matrix разработала 3х мерные Flash структуры






Организация Flash




Index Prev Next