4.3.6. ПОЛЯРНОСТЬ ТРАНЗИСТОРОВ

Исходя из технологий применяемых для создания транзисторов
имеем следующую возможную полярность для работы транзисторов:

 -------------------------------------------------------
                       выход +
			^
                        |
	                |
      N-MOS обедненный  |   N-MOS обогащенный
      N-JFET            |   NPN-BJT
			|
- вход  ----------------+-------------------> вход +
                        |
      P-MOS обогащенный |   P-JFET	
      PNP-BJT           |
			|	
		     выход -
 -------------------------------------------------------

n-MOSFET enhanced:
  


p-MOSFET enhanced: