На базе полупроводниковых устройств рассмотренных выше созданы различные технологии которые мы будем рассматривать в этой секции.
Кремневые технологии делятся на биполярные (используют BJT) и MOS (используют MOSFET). Основные биполярные технологии: TTL Transistor-Transistor logic ECL Emmiter coupled logic очень быстрая Кушает очень много энергии I2L Integrated Injected logic Занимает мало места Основные MOS технологии: PMOS p-channel MOSFET enhancement занимает много места (p-MOSFET больше чем n-MOSFET) NMOS n-channel MOSFET enhancement HMOS n-channel MOSFET depletion Немного быстрее чем NMOS, но жрет больше энергии CMOS Compimentary MOS (i.e. n- and p- enhancement MOSFET combined) Малое потребление энергии (только переключение) CHMOS CMOS with depletion MOSFET Немного быстрее CMOS, но жрет больше энергии за счет того что небольшой ток течет не только во время переключений MNOS Metal Nitride Oxide Semiconductor (используется для производства транзисторов с плавающим затвором). Гибридные технологии: BiCMOS Mix of BJT and CMOS
BJT занимают больший размер чем MOSFET. До определенной нормы быстродействие у BJT выше. BJT vs MOSFET