4.4. КРЕМНЕВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

На базе полупроводниковых устройств рассмотренных выше созданы различные технологии
которые мы будем рассматривать в этой секции.

  


  



Кремневые технологии делятся на биполярные (используют BJT) и MOS (используют
MOSFET).

Основные биполярные технологии:
	TTL	Transistor-Transistor logic
	ECL	Emmiter coupled logic
			очень быстрая
			Кушает очень много энергии
	I2L	Integrated Injected logic
			Занимает мало места

Основные MOS технологии:
	PMOS	p-channel MOSFET enhancement
			занимает много места (p-MOSFET больше чем n-MOSFET)
	NMOS	n-channel MOSFET enhancement
	HMOS	n-channel MOSFET depletion
			Немного быстрее чем NMOS, но жрет больше энергии
	CMOS	Compimentary MOS (i.e. n- and p- enhancement MOSFET combined)
			Малое потребление энергии (только переключение)
	CHMOS	CMOS with depletion MOSFET
			Немного быстрее CMOS, но жрет больше энергии
			за счет того что небольшой ток течет не только во
			время переключений
	MNOS	Metal Nitride Oxide Semiconductor
		(используется для производства транзисторов с плавающим затвором).

Гибридные технологии:
	BiCMOS	Mix of BJT and CMOS




  
  BJT vs MOSFET 
 

BJT занимают больший размер чем MOSFET.
До определенной нормы быстродействие у BJT выше.