4.4.2.4. BiCMOS ТЕХНОЛОГИЯ



На определенном этапе развития была использованна BiCMOS технология
являющаяся смесью CMOS и биполярных транзисторов.
Дело в том что биполярные транзисторы в определенных условиях работают
быстрее.
Потом от BiCMOS отказались т.к. вместе со степенью интеграции уменьшилось
напряжение питания а на p-n переходе падение достаточно большое.

BiCMOS элементы были по размерам больше чем чисто CMOS элементы,
но работали немного быстрее.

Сравнение быстродействия CMOS и BiCMOS



NOT

Схема BiCMOS инвертора:

Собственно сама идея: выходы CMOS транзисторов идут не на выход а на отпирание BJT транзисторов. Поскольку паразитные емкости между MOSFET и BJT гораздо меньше чем в цепи к которой присоединен выход то мы очень быстро достигаем состояние отпирания BJT, а сам BJT уже большим током быстро доведет выходную цепь до нужного состояния. Схема BiCMOS инвертора (оптимизированный):

Сигнал от BiCMOS инвертора:

Сигнал от CMOS инвертора:

Характеристика BiCMOS инвертора:

Сборка BiCMOS инвертора из CMOS и BJT:

Срез BiCMOS инвертора:


NAND

Схема BiCMOS элемента NAND (оптимизированный):

Сборка BiCMOS NAND из CMOS и BJT:

Так же собираются и другие BiCMOS элементы: Сначала CMOS который делает логику, затем BJT на выходе. Оптимизация BiCMOS по скорости делается дублирующей CMOS цепью цель которой не давать BJT работать.

Index Prev Next