4.4.2.4. BiCMOS ТЕХНОЛОГИЯ

На определенном этапе развития была использованна BiCMOS технология
являющаяся смесью CMOS и биполярных транзисторов.
Дело в том что биполярные транзисторы в определенных условиях работают
быстрее.
Потом от BiCMOS отказались т.к. вместе со степенью интеграции уменьшилось
напряжение питания а на p-n переходе падение достаточно большое.

BiCMOS элементы были по размерам больше чем чисто CMOS элементы,
но работали немного быстрее.

Сравнение быстродействия CMOS и BiCMOS
  




  
  NOT 
 

Схема BiCMOS инвертора:
  

Собственно сама идея: выходы CMOS транзисторов идут не на выход а на отпирание
BJT транзисторов. Поскольку паразитные емкости между MOSFET и BJT гораздо меньше
чем в цепи к которой присоединен выход то мы очень быстро достигаем состояние
отпирания BJT, а сам BJT уже большим током быстро доведет выходную цепь до
нужного состояния.


Схема BiCMOS инвертора (оптимизированный):
  


Сигнал от BiCMOS инвертора:
  


Сигнал от CMOS инвертора:
  


Характеристика BiCMOS инвертора:
  


Сборка BiCMOS инвертора из CMOS и BJT:
  


Срез BiCMOS инвертора:
  




  
  NAND 
 

Схема BiCMOS элемента NAND (оптимизированный):
  



Сборка BiCMOS NAND из CMOS и BJT:
  


Так же собираются и другие BiCMOS элементы:
Сначала CMOS который делает логику, затем BJT на выходе.

Оптимизация BiCMOS по скорости делается дублирующей CMOS цепью
цель которой не давать BJT работать.